得益于固態電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統（由單相或三相電網電源或儲能系統（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態電池斷開開關時，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導體技術和定義高電壓、高電流電池斷開開關的半導體封裝時的一些設計注意事項，以及表征系統的寄生電感和過流保護限值的重要性。寬帶隙半導體技術的優勢在選擇最佳半導體材料時，應考慮多項特性。目標是打造兼具最
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SiC 高電壓電池 斷開開關
工業市場正在迅速發展，新興技術正在滿足不斷增長的創新和效率需求。工業應用使用多種不同的接口（包括以太網、RS-485 和控制器局域網 (CAN)）在不同的設備之間傳輸時間敏感型數據。在選擇要使用的接口時，設計人員必須考慮許多不同的目標，進行權衡。CAN 是最早可在惡劣和嘈雜的工業環境中提供可靠數據通信的協議之一，至今仍然廣受歡迎。CAN 收發器可提供 CAN 協議的物理層，具有高功效、高數據速率和小物理尺寸特性，同時保持穩健可靠，是許多工業應用的理想選擇。在本文中，我們將介紹 CAN 收發器的優勢，并討論
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CAN 收發器 接口
汽車和工業市場中聯網應用的增加推動了對帶寬更高、延遲更低和安全性更強的有線連接解決方案的需求。可靠、安全的通信網絡解決方案對于按預期傳輸和處理數據至關重要。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布推出ATA650x CAN FD系統基礎芯片（SBC）新系列產品。該系列產品完全集成了高速CAN FD收發器和5V低壓降穩壓器（LDO），采用緊湊型8引腳、10引腳和14引腳封裝，節省了空間。ATA650x CAN FD SBC占用空間極小：VDFN8 封裝為2 mm ×3mm，
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Microchip CAN FD系統 CAN收發器
/ 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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英飛凌 GaN SiC 電氣工程師
安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現成驅動器。綜合這
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安森美 碳化硅JFET SiC JFET 數據中心電源
據安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預計將于2025年第一季度完成。據悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業群總裁兼總經理
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安森美 收購 Qorvo SiC JFET
從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。從醫療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導體技術的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統的硅（Si）晶體管相比，SiC的優異物理特性使基于SiC的系統能夠在更小的外形尺寸內顯著減少損耗并加快開關速度。由于SiC在市場上相對較新，一些工程師在尚未確定該技術可靠性水平之前，對從Si到SiC的轉換猶豫不決。但是，等待本身也會帶來風
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WBG SiC 半導體
隨著清潔能源的快速增長，作為光伏系統心臟的太陽能逆變器儼然已經成為能源革命浪潮中的超級賽道。高效的光伏系統，離不開功率器件。全IGBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空間、可靠性等方面不同的優勢，均在市場上有廣泛應用。但隨著SiC成本下降，全SiC方案被越來越多的廠家采用。未來10年，光伏逆變器市場狂飆目前，風能和太陽能的總發電量已經超過了水力發電。預計到2028年，清潔能源的比重將達到42%。中國市場增長勢頭強勁，已成為全球清潔能源增長的主要驅動力。光伏逆變器承載著將太陽能光伏組件產
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功率模塊 SiC 逆變器
柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
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三菱電機 SiC 柵極絕緣層
控制器局域網絡(CAN)可在多個網絡站點之間提供強大的通信能力，支持多種數據速率和距離。CAN具有數據鏈路層仲裁、同步和錯誤處理等特性，廣泛用于工業、儀器儀表和汽車應用之中。在ISO 11898標準的框架下，借助分布式多主機差分信令和內置故障處理功能，DeviceNet、CANopen等多種協議針對物理層和數據鏈路層規定了相應的實現方式。本文旨在描述如何針對給定應用優化設置，同時考慮控制器架構、時鐘、收發器、邏輯接口隔離等硬件限制。文章將集中介紹網絡配置問題——包括數據速率和電纜長度——說明何時有必要對C
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離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質原子擴散系數非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結構（形成pn結）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術：在SiC中進行離子注入時，對于n型區域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩定地進行高濃度的Al離子注入，需
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三菱電機 SiC
SiC 功率器件市場規模逐年擴大，并將保持高速增長。
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SiC 功率器件
意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
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意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
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東芝 低導通電阻 牽引逆變器 SiC MOSFET
Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案，專為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計。與傳統的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩健柵極保護的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創新的單元件解決方案，在簡化設計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
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SiC MOSFET柵極保護 非對稱瞬態抑制二極管 Littelfuse
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